AlGaInAs for Quantum Well semiconductor lasers

Abstract

The objectives to be acquired during the development of this thesis are, in terms of knowledge, skills and competences: 1. Solid knowledge about the current state of the art and theoretical research on semiconductor III-V group and materials, fabrication techniques, measurement and characterization methods their applicability to laser systems. 2. Learning and mastering CAD simulation software for designing a new layer stack with AlInGaAs structure in SMART Photonics standard InP on-chip platform. Mastering integrated photonics circuit simulation software for designing this laye stack using standard foundries platforms. 3. Definition of specifications and device requirements for test structure devices usin Al for high power, high temperature: power, temperature, dimensions, linewidth and laser characteristics,…. 4. Manufacturing, characterization and prototyping of that previously indicated PIC. 5. Data analysis and performance evaluation. 6. Complementary skills: scientific publications, conferences, workshops and schools.

Los objetivos a adquirir durante el desarrollo de esta tesis son, en términos de conocimientos, habilidades y competencias: 1. Sólidos conocimientos sobre el estado del arte actual e investigaciones teóricas sobre semiconductores del grupo III-V y materiales, técnicas de fabricación, medición y métodos de caracterización y su aplicabilidad a los sistemas láser. 2. Aprender y dominar el software de simulación CAD para diseñar una nueva pila de capas con estructura AlInGaAs en la plataforma en chip InP estándar de SMART Photonics. Dominar el software de simulación de circuitos fotónicos integrados para diseñar estas capas utilizando plataformas de fundición estándar. 3. Definición de especificaciones y requisitos de dispositivos para dispositivos de estructura de prueba que utilizan Al para alta potencia y alta temperatura: potencia, temperatura, dimensiones, ancho de línea y características del láser,…. 4. Fabricación, caracterización y prototipado del PIC anteriormente indicado. 5. Análisis de datos y evaluación del desempeño. 6. Competencias complementarias: publicaciones científicas, congresos, workshops y schools.

Os obxectivos para adquirir durante o desenvolvemento desta tese son, en términos de coñecementos, habilidades e competencias: 1. Sólidos coñecementos sobre o estado da arte actual e investigacións teóricas sobre semiconductores do grupo III-V e materiais, técnicas de fabricación, medición e métodos de caracterización e súa aplicabilidade aos sistemas láser. 2. Aprender e dominar o software de simulación CAD para deseñar unha nova pila de capas con estrutura AlInGaAs na plataforma en chip InP estándar de SMART Photonics. Dominar o software de simulación de circuitos fotónicos integrados para deseñar estas capas utilizando plataformas de fundición estándar. 3. Definición de especificacións e requisitos de dispositivos para dispositivos de estrutura de proba que utilizan Al para alta potencia e alta temperatura: potencia, temperatura, dimensións, ancho de liña e características do láser,…. 4. Fabricación, caracterización e prototipado do PIC anteriormente indicado. 5. Análisis de datos e avaliación do desempeño. 6. Competencias complementarias: publicacións científicas, congresos, obradoiros e escolas.